Вход на сайт

Зарегистрировавшись на сайте Вы сможете добавлять свои материалы






Излучатель ультразвука самодельный


cxema.org - Мощная ультразвуковая пушка своими руками

Несколько дней назад поступил очередной заказ. Покупатель хотел заказать мощную ультразвуковую пушку для борьбы с пьяной молодежью, для которых день начинается ночью, когда все нормальные люди спят. Недолго думая выбрал проверенную схему мощного ультразвукового излучателя. Сама пушка построена всего на одной микросхеме стандартной логике.

Подойдут буквально любые аналогичные микросхемы, содержащие 6 логических инверторов. В нашем случае применена микросхема CD4049 (HEF4049), которая успешно может быть заменена на отечественную - К561ЛН2, только нужно обратить внимание на цоколевку, поскольку К561ЛН2 отличается от использованной некоторыми выводами.


Поскольку схема достаточно простая, то может быть реализована на макетной плате или навесным образом. Усилитель собран на комплементарных парах КТ816/817, за счет применения этих ключей, мощность нашей пушки составляет 10-12 Ватт.

В качестве излучателя желательно использовать высокочастотные головки типа 10 ГДВ или импорт, не советуется использовать пьезоизлучатель.

Корпус - от китайского электронного трансформатора 10-50 ватт, пришлось переделывать, поскольку плата не вместилась.

За частоту отвечает конденсатор 1,5нФ (который потом заменил на 3,9 нФ, поскольку с указанным в схеме конденсатором нижняя грань частот ровна 20кГц, а с такой заменой частоту можно настроить в пределах 10-30кГц) и переменный резистор (в итоге, настройку делают вращением этого резистора).

Базовые резисторы можно заменить на 2.2кОм, которые являются более распространенными, чем те, которые указаны в схеме. Питается такой излучатель от стабилизированного блока питания на 5 Вольт с током 1 А (диапазон питающих напряжений 3,7-9 Вольт).

 На транзисторах может наблюдаться тепловыделение, но оно не критично, поэтому нет нужды в дополнительных теплоотводах.

С уважением - АКА КАСЬЯН

Усилитель с общим эмиттером

- характеристики, смещение, решенные примеры

Эта конфигурация известна как конфигурация с общим эмиттером, потому что здесь эмиттер используется как общий отрицательный вывод для входного базового сигнала и выходной нагрузки. Другими словами, вывод эмиттера становится опорным выводом как для входного, так и для выходного каскада (что означает общее для базового и коллекционного выводов).

Усилитель с общим эмиттером - наиболее часто используемая конфигурация транзисторов, как показано на рис.3.13 ниже для транзисторов pnp и npn.

В основном здесь клемма базы транзистора используется в качестве входа, коллектор настроен как выход, а эмиттер подключен к обоим общим проводам (например, если транзистор NPN, эмиттер может быть подключен к линии заземления. ссылка), поэтому он получил свое название как общий эмиттер. Для полевого транзистора аналогичная схема называется усилителем с общим истоком.

Характеристики общего эмиттера

Как и общая базовая конфигурация, здесь также два диапазона характеристик снова становятся важными для полного объяснения природы схемы с общим эмиттером: один для схемы входа или базы-эмиттера, а другой для выхода или коллектора. -эмиттерная схема.

Эти два набора показаны на Рис. 3.14 ниже:

Направления тока для эмиттера, коллектора и базы указаны в соответствии со стандартным условным правилом.

Хотя конфигурация изменилась, отношение для текущего потока, которое было установлено в нашей предыдущей общей базовой конфигурации, все еще применяется здесь без каких-либо изменений.

Это может быть представлено как: I E = I C + I B и I C = I E .

Для нашей нынешней конфигурации с общим эмиттером указанные выходные характеристики являются графическим представлением выходного тока (I C ) в зависимости от выходного напряжения (V CE ) для выбранного набора значений входного тока (I В ).

Входные характеристики можно рассматривать как график зависимости входного тока (I B ) от входного напряжения (V BE ) для данного набора значений выходного напряжения (V CE )

Обратите внимание, что характеристики рис.3.14 указывает значение I B в микроамперах вместо миллиампер для IC.

Также мы обнаруживаем, что кривые I B не являются идеально горизонтальными, как те, что получены для I E в конфигурации с общей базой, что означает, что напряжение коллектор-эмиттер может влиять на значение базового тока.

Активную область для конфигурации с общим эмиттером можно понимать как ту часть верхнего правого квадранта, которая обладает наибольшей степенью линейности, то есть той конкретной областью, где кривые для I B имеют тенденцию быть практически прямыми и равномерно разложить.

На рис. 3.14a эта область видна справа от вертикальной пунктирной линии в точке V CEsat и над кривой I B , равной нулю. Область слева от V CEsat известна как область насыщения.

В активной области усилителя с общим эмиттером переход коллектор-база будет смещен в обратном направлении, а переход база-эмиттер будет смещен в прямом направлении.

Если вы помните, это были точно такие же факторы, которые сохранялись в активной области установки с общей базой.Активная область конфигурации с общим эмиттером может быть реализована для усиления напряжения, тока или мощности.

Область отсечки для конфигурации с общим эмиттером не выглядит хорошо охарактеризованной по сравнению с областью для конфигурации с общей базой. Обратите внимание, что в характеристиках коллектора на рис. 3.14 I C на самом деле не соответствует нулю, а I B - нулю.

Для конфигурации с общей базой, когда входной ток I E оказывается близким к нулю, ток коллектора становится равным только обратному току насыщения I CO , чтобы кривая I E = 0 и ось напряжения была одна для всех практических приложений.

Причина этого изменения в характеристиках коллектора может быть оценена с соответствующими модификациями формул. (3.3) и (3.6). как указано ниже:

Оценивая описанный выше сценарий, где IB = 0 A, и заменяя типичное значение, такое как 0,996 для α, мы можем получить результирующий ток коллектора, как указано ниже:

Если мы рассмотрим I CBO как 1 мкА, результирующий ток коллектора с I B = 0 А будет 250 (1 мкА) = 0,25 мА, как показано в характеристиках на рис.3.14.

Во всех наших будущих обсуждениях ток коллектора, установленный условием I B = 0 мкА, будет иметь обозначение, определяемое следующим уравнением. (3.9).

Условия, основанные на вышеупомянутом новом установившемся токе, могут быть визуализированы на следующем Рис. 3.15 с использованием его эталонных направлений, как указано выше.

Для включения усиления с минимальными искажениями в режиме общего эмиттера отсечка устанавливается током коллектора I C = I CEO.

Это означает, что следует избегать области чуть ниже I B = 0 мкА для обеспечения чистого и неискаженного выходного сигнала усилителя.

Как работают схемы с общим эмиттером

Если вы хотите, чтобы конфигурация работала как логический переключатель, например, с микропроцессором, конфигурация представит пару из точек интереса: сначала как точка отсечки, а другой - как область насыщения.

В идеале отсечка может быть установлена ​​на I C = 0 мА для указанного напряжения V CE .

Поскольку I CEO i обычно довольно мал для всех кремниевых BJT, отсечка может быть реализована для коммутационных действий, когда I B = 0 мкА или I C = I CEO

Если вы помните в нашей общей базовой конфигурации набор входных характеристик был приблизительно установлен через эквивалент прямой линии, что привело к результату V BE = 0,7 В для всех уровней I E , который был больше 0 мА

Мы можем примените тот же метод для конфигурации с общим эмиттером, что даст приблизительный эквивалент, изображенный на рис.3.16.

Рис. 3.16 Кусочно-линейный эквивалент характеристик диода на рис. 3.14b.

Результат соответствует или нашему предыдущему выводу, согласно которому напряжение базового эмиттера для BJT в активной области или во включенном состоянии будет 0,7 В, и это будет фиксироваться независимо от тока базы.

Решенный практический пример 3.2

Как смещать усилитель с общим эмиттером

.Завод ультразвуковых излучателей

, производственная компания OEM / ODM по изготовлению ультразвуковых излучателей на заказ

Всего найдено 31 фабрика и компания по производству ультразвуковых излучателей с 93 продуктами. Получите высококачественный ультразвуковой излучатель из нашего огромного набора надежных заводов по производству ультразвуковых излучателей. Золотой член
Тип бизнеса: Производитель / Завод , Торговая компания
Основные продукты: Ультразвуковой очиститель , Ультразвуковой Очиститель ювелирных изделий , Датчик, Погружные пластины датчиков, Генератор
Mgmt.Сертификация:

ISO 9001, FSC

Собственность завода: Общество с ограниченной ответственностью
Объем НИОКР: OEM
Расположение: Шэньчжэнь, Гуандун
Бриллиантовый член
Тип бизнеса: Производитель / Завод , Торговая компания
Основные продукты: Удаление волос с диодным лазером 808нм, Аппарат SHR, Аппарат E-light, Аппарат IPL, Радиочастотное похудение при кавитации
Mgmt.Сертификация:

ISO9001: 2008, сертификат ISO 13485: 2016

Собственность завода: Общество с ограниченной ответственностью
Объем НИОКР: Собственный бренд, ODM, OEM
Расположение: Вэйфан, Шаньдун
Золотой член
Тип бизнеса: Производитель / Завод
Основные продукты: Серия для похудения, серия RF и Ultralipo System, серия струйного пилинга и микродермабразии, серия для ухода за грудью, Ultrasonic
Собственность завода: Общество с ограниченной ответственностью
Объем НИОКР: ODM, OEM
Расположение: Гуанчжоу, Гуандун
Производственные линии: 5
Золотой член
Тип бизнеса: Производитель / Завод
Основные продукты: Ультразвуковой гомогенизатор , Ультразвуковой аппарат для сварки пластмасс , Ультразвуковой аппарат для точечной сварки , Ультразвуковой станок для резки, Ультразвуковой преобразователь
Mgmt.Сертификация:

ISO 9001, HSE

Объем НИОКР: ODM
Расположение: Ханчжоу, Чжэцзян
Производственные линии: Больше 10
Бриллиантовый член
Тип бизнеса: Производитель / Завод , Торговая компания
Основные продукты: Электромагнитный расходомер, электромагнитный тепломер, термостат, клемма VAV, контроллер VAV
Mgmt.Сертификация:

ISO9001: 2008, ISO14001: 2004, OHSAS18001: 2007

Собственность завода: Общество с ограниченной ответственностью
Объем НИОКР: Собственный бренд, ODM, OEM
Расположение: Ханчжоу, Чжэцзян
.

jeffrose / emitter: современная реализация эмиттера событий.

перейти к содержанию Зарегистрироваться
  • Почему именно GitHub? Особенности →
    • Обзор кода
    • Управление проектами
    • Интеграции
    • Действия
    • Пакеты
    • Безопасность
    • Управление командой
    • Хостинг
    • мобильный
    • Истории клиентов →
    • Безопасность →
  • Команда
  • Предприятие
  • Проводить исследования
.

D718 B688 Мощный усилитель DIY Самодельный

В этом видео я показываю, как сделать сверхбасовый 100-ваттный моно мощный усилитель класса AB с использованием транзисторов d718 b688 и 2n3904. Комбинация мощного усилителя d718 b688 широко используется для получения высокого усиления. Вы должны использовать изоляцию транзистора (слюду), чтобы предотвратить прикосновение к радиатору, чтобы избежать короткого замыкания, потому что оба транзистора используют противоположный ток.

Я выбрал эту схему с очень небольшим количеством компонентов, которую довольно легко собрать как новичкам, так и студентам.Настоятельно рекомендую выбирать достаточно большой и толстый радиатор, чтобы теплоотвод был достаточным для безопасности обоих транзисторов. Список компонентов также приведен в конце этой статьи, который легко найти на местном рынке.

Принципиальная схема

Ниже приведена принципиальная схема мощного усилителя D718 B688 с регулировкой громкости низких и высоких частот.

Изображения в проявке

D718 B688 Мощный усилитель DIY

Шаг № 1

Затяните транзисторы D718 и B688 на радиаторе с надлежащей изоляцией (MICA).Убедитесь, что задняя пластина обоих транзисторов не должна касаться радиатора. Соедините положительную и отрицательную стороны двух диодов 1N4007 вместе. Припаяйте один положительный вывод правого диода к контакту 1 базы правого транзистора B688. И другой минус левого диода с выводом 1 базы левого транзистора D718. Подключите два резистора 0,33 Ом / 5 Вт к выводу 3 эмиттера обоих транзисторов. Соедините вместе другие концы обоих транзисторов.

Шаг №2

Припаяйте коллектор транзистора 2N3904 к басу B688, а эмиттер транзистора 2N3904 к коллектору B688.Также припаяйте резистор 100 кОм к базе транзистора 2N3904 и центральному соединению резистора 0,33 Ом / 5 Вт.

Шаг № 3

Подключите отрицательную сторону конденсатора 4,7 мкФ к базе транзистора 2N3904.

Шаг № 4

Припаяйте отрицательный вывод конденсатора 2200 мкФ / 50 В к центральному стыку двух резисторов 0,33 Ом. Также припаяйте один конец резистора 1 кОм к основанию D718, а другой конец - к положительной стороне конденсатора 2200 мкФ / 50 В.

Шаг № 5

Я не показывал здесь работу схемы НЧ-ВЧ. Для получения более подробной информации о низких и высоких частотах [Щелкните здесь]. Подключите положительный вывод конденсатора 4,7 мкФ к центральному выводу 2 регулятора громкости.

Шаг № 6

Возьмите один резистор 0,47 Ом / 5 Вт, а также возьмите эмалированный медный провод 0,6 мм. Оберните резистор 12 раз и припаяйте оба конца к обоим концам резистора.

Шаг № 7

Теперь припаяйте один конец резисторной катушки к штырю коллектора.2 транзистора D718. Присоедините красный положительный провод источника питания к центральному контакту коллектора транзистора D718 и черный отрицательный провод источника питания к центральному контакту коллектора транзистора B688.

Шаг № 8

Пришло время подключить мобильный разъем 3,5 мм. Припаяйте левый и правый провода аудиовыхода к контакту 1 контроллера низких частот, а провод заземления - к контакту 3 контроллера громкости. Также подключите контакт 3 коллектора регулятора объема, центральный контакт транзистора B688, который заземлен.

Шаг № 9

Подключите плюсовой провод динамика к пустому концу резисторной катушки. Отрицательный сигнал динамика уйдет на землю.

Подключите штекер к мобильному телефону. Включите питание, слушайте музыку с мобильного телефона и наслаждайтесь. Большое вам спасибо за посещение этого сайта.

Список компонентов

используется в усилителе мощности D718 B688

  • Транзистор D718 x 1
  • Транзистор B688 x 1
  • 2N3904 Транзистор x 1
  • 1N4007 Диод x 2
  • 2200 мкФ Конденсатор x 1
  • 4.Конденсатор 7 мкФ x 1
  • 104 Конденсатор x 4
  • Резистор 0,33 Ом x 2
  • Резистор 1 кОм x 3
  • Резистор 2,2 кОм x 2
  • Резистор 100 кОм x 1
  • 50 Потенциометр x 3
  • Радиатор x 1
  • Гнездо источника питания (дополнительно)
  • Мобильный разъем 3,5 мм (дополнительно)
  • Блок питания 12 В
  • Динамик 4 Ом

(Посещено 3508 раз, сегодня 4 раза)

.

Смотрите также